TMS320C5410燒寫Flash實現并行自舉引導

時間：2024-10-26 00:36:32 理工畢業論文我要投稿

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摘要：介紹在TMS320C5410環境下對Am29LV200B Flash存儲器進行程序燒寫，并且實現了TMS320C5410上電后用戶程序并行自舉引導。

　　Flash是一種可在線進行電擦寫，掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快等特點，并且內部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在數字信號處理系統中得到了廣泛的應用。本文通過一個完整的實例，介紹Am29LV200B Flash存儲器的燒寫方法，實現TMS320C5410（以下簡稱C5410）上電后用戶程序的并行自舉引導。

1 Am29LV200B Flash存儲器

1.1 Flash存儲器簡介

　　Am29LV200B是AMD公司生產的Flash存儲器，其主要特點有：3 V單電源供電，可使內部產生高電壓進行編程和擦除操作；支持JEDEC單電源Flash存儲器標準；只需向其命令寄存器寫入標準的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內部嵌入的算法實現，并且可以通過查詢特定的引腳或數據線監控操作是否完成；可以對任一扇區進行讀、寫或擦除操作，而不影響其它部分的數據。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射為C5410的片外數據存儲空間，地址為：0x8000~0xFFFF，數據總線16位，用于16位方式的并行引導裝載。128K的Flash ROM用32K地址分四頁進行訪問，上電加載程序時使用Flash ROM的第3頁。

1.2 Flash存儲器的操作命令

　　向Flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數據命令，就可對Flash存儲器編程，但要按一定的順序操作，否則就會導致Flash存儲器復位。由于編程指令不能使"0"寫為"1"，只能使"1"變為"0"，而擦除命令可使"0"變為"1"，所以正確順序是先擦除，后編程。下面就介紹幾個常用的操作命令：編程命令、擦除命令、讀數據命令、復位命令。

　　① 編程命令。該命令向Flash的指定地址中寫入數據，需要四個總線周期，前兩個是解鎖周期，第三個是建立編程命令，最后一個周期完成向編程地址中寫入編程數據，如表1所列。

表1 編程命令

周期1(解鎖)2（解鎖）3(建立）4（編程）地址0x5550x2AA0x555pa(編程地址)數據0xAA0x550xA0pa(編程數據)

　　由于向每個編程地址寫入數據都需要四個周期，所以在循環寫Flash時使用宏比較簡單。Flash ROM的首地址為0x8000，故偏移地址0x555對應物理地址就為0x8555。編程程序如下：

_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;單一周期編程的寫命

；令宏，pa是編程地址，pd是編程數據

PSHM AR1

STM pa,AR1 ;AR1指向編程地址

LD pd,A

STL A,*AR1 ;把編程數據放入AR1的編程地址中