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物理學研究生畢業論文提綱
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物理學研究生畢業論文提綱范文一
摘要 5-7
Abstract 7-9
目錄 10-14
第1章 緒論 14-32
1.1 課題研究背景及意義 14
1.2 常用非球面加工技術簡介 14-20
1.2.1 計算機控制表面成形技術(CCOS) 15-16
1.2.2 應力盤拋光技術 16-17
1.2.3 氣囊拋光技術 17-18
1.2.4 離子束拋光技術 18-19
1.2.5 磁流變拋光技術 19-20
1.3 磁流變液的研究和應用現狀 20-25
1.3.1 磁流變液的發展與應用簡介 20-22
1.3.2 磁流變液的研究現狀 22-25
1.4 磁流變拋光技術的研究現狀 25-30
1.4.1 磁流變拋光原理 25-26
1.4.2 磁流變拋光液的研究現狀 26-27
1.4.3 磁流變拋光設備的研究現狀 27-28
1.4.4 磁流變拋光的材料去除模型 28-30
1.5 本論文的主要研究內容 30-32
第2章 磁流變拋光液研制及性能測試 32-64
2.1 概述 32
2.2 磁流變拋光液的分散穩定機理 32-36
2.2.1 靜電排斥理論—DLVO理論 33-34
2.2.2 空間排斥理論—HVO理論 34-35
2.2.3 磁流變拋光液中鐵磁顆粒沉降性問題 35-36
2.3 磁流變拋光液的配制研究 36-48
2.3.1 磁流變拋光液的性能要求 36
2.3.2 磁流變拋光液成分的選擇 36-42
2.3.3 磁流變拋光液的配制工藝流程 42-48
2.4 磁流變拋光液的性能檢測 48-55
2.4.1 磁流變拋光液的分散穩定性檢測 48-50
2.4.2 磁流變拋光液的零磁場粘度檢測 50-52
2.4.3 磁流變拋光液的剪切屈服應力檢測 52-54
2.4.4 去除函數實驗 54-55
2.5 磁流變拋光液的性能優化 55-62
2.5.1 磁流變拋光液的分散體系特性 56-57
2.5.2 絮凝型磁流變拋光液 57-58
2.5.3 去除函數實驗 58-62
2.6 本章小結 62-64
第3章 磁流變拋光循環控制系統及其對去除函數的影響 64-86
3.1 概述 64
3.2 磁流變拋光設備主要結構形式 64-68
3.2.1 平置式磁流變拋光結構 64-66
3.2.2 正置式磁流變拋光結構 66-67
3.2.3 倒置式流變拋光結構 67-68
3.3 磁流變拋光循環控制系統 68-73
3.3.1 磁流變拋光設備的主要結構 68-69
3.3.2 循環系統的主要部件 69-72
3.3.3 控制模塊的主要部件 72-73
3.4 溫度變化對去除函數的影響 73-77
3.4.1 溫度變化對粘度的影響 73-74
3.4.2 溫度變化對流量的影響 74-75
3.4.3 溫度變化對去除函數的影響 75-77
3.5 粘度變化對去除函數的影響 77-81
3.5.1 鐵粉顆粒含量對磁流變拋光液粘度的影響 77-79
3.5.2 粘度變化對去除函數的影響 79-81
3.6 去除函數穩定性測試 81-85
3.7 本章小結 85-86
第4章 工藝參數對工件受力和去除函數的影響 86-124
4.1 概述 86
4.2 實驗細節描述 86-89
4.2.1 測量設備 87-88
4.2.2 拋光材料 88-89
4.3 壓入深度與工件受力和去除函數的關系 89-102
4.3.1 BK7 玻璃 91-96
4.3.2 RB-SiC陶瓷材料 96-101
4.3.3 壓入深度h0過大對去除函數的影響 101-102
4.4 拋光液成分對工件受力和去除函數的影響 102-119
4.4.1 鐵粉顆粒含量的影響 102-107
4.4.2 鐵粉粒徑的的影響 107-113
4.4.3 拋光粉含量的影響 113-119
4.5 材料去除效率與工件受力的關系 119-123
4.5.1 正壓力和壓強與材料去除效率關系 119-121
4.5.2 剪切力和剪切應力與材料去除效率關系 121-123
4.6 本章小結 123-124
第5章 碳化硅及改性硅表面的磁流變拋光 124-149
5.1 概述 124
5.2 碳化硅材料的磁流變拋光 124-126
5.2.1 碳化硅的材料特性 124-125
5.2.2 常用碳化硅材料的比較 125-126
5.3 RB-SiC的磁流變拋光 126-138
5.3.1 RB-SiC的材料去除機理 126-130
5.3.2 RB-SiC的粗糙度 130-133
5.3.3 RB-SiC材料的實際拋光 133-138
5.4 RB-SiC基底改性硅表面的磁流變拋光 138-148
5.4.1 碳化硅材料的改性 138-140
5.4.2 改性硅的磁流變拋光 140-148
5.5 本章小結 148-149
第6章 總結與展望 149-151
6.1 總結 149-150
6.2 論文創新點 150
6.3 工作展望 150-151
參考文獻 151-159
物理學研究生畢業論文提綱范文二
摘要 5-7
Abstract 7-8
目錄 9-12
第1章 緒論 12-26
1.1 半導體激光器的研究進展 12-21
1.1.1 高功率半導體激光器 12-15
1.1.2 高效率半導體激光器 15
1.1.3 高可靠性半導體激光器 15-16
1.1.4 高光束質量半導體激光器 16-18
1.1.5 窄線寬半導體激光器 18-21
1.2 單縱模半導體激光器的研究進展 21-23
1.2.1 國外單縱模半導體激光器的研究進展 22-23
1.2.2 國內單縱模半導體激光器的研究進展 23
1.3 本文的研究目的與內容 23-26
第2章 高階光柵單縱模半導體激光器理論設計與分析 26-46
2.1 半導體激光器的基本特性 26-29
2.1.1 半導體的輻射躍遷 26-27
2.1.2 半導體激光器的增益與閾值條件 27-29
2.2 半導體激光器的輸出功率與轉換效率 29-31
2.2.1 半導體激光器的輸出功率 29-30
2.2.2 半導體激光器的轉化效率 30-31
2.3 半導體激光器的縱模與光譜特性 31-32
2.4 高階布拉格光柵波導的理論模型 32-38
2.4.1 分布反饋(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33
2.4.2 散射理論 33-36
2.4.3 傳輸矩陣理論模型 36-38
2.5 高階布拉格光柵波導的光學特性分析 38-42
2.5.1 傳輸矩陣分析 38-40
2.5.2 高階布拉格光柵的損耗光譜 40-42
2.6 單縱模激光器的空間相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理論計算方法 43-45
2.7 本章小結 45-46
第3章 高階光柵單縱模半導體激光器制備 46-68
3.1 外延生長技術 46-47
3.2 光刻技術 47-52
3.3 刻蝕技術 52-61
3.3.1 干法刻蝕 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蝕工藝探索 55-59
3.3.3 濕法腐蝕 59-61
3.4 薄膜生長技術 61-65
3.4.1 電絕緣膜生長技術 62
3.4.2 金屬電極生長技術 62-64
3.4.3 光學薄膜生長技術 64-65
3.5 高階光柵半導體激光器的制備 65-66
3.6 本章小結 66-68
第4章 高階光柵分布布拉格反射半導體激光器 68-94
4.1 高階光柵單縱模分布布拉格反射半導體激光器 68-81
4.1.1 器件結構設計 68-76
4.1.2 器件制備 76-77
4.1.3 器件測量結果 77-81
4.2 雙波長高階光柵分布布拉格發射激光器 81-86
4.2.1 器件設計 81-83
4.2.2 器件制備 83-84
4.2.3 器件測量結果 84-86
4.3 高階光柵耦合半導體激光器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光譜分析技術原理 87-88
4.3.2 測試結果與分析 88-92
4.4 本章小結 92-94
第5章 高階光柵單縱模分布反饋半導體激光器 94-100
5.1 器件制備 94-96
5.2 器件測量結果 96-99
5.3 本章小結 99-100
第6章 單縱模半導體激光器件空間相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL單管器件空間相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理論 101-103
6.1.2 測試結果 103-107
6.2 VCSEL列陣器件的空間相干特性研究 107-114
6.2.1 器件設計 107-110
6.2.2 器件制備 110
6.2.3 測試結果 110-114
6.3 本章小結 114-116
第7章 總結與展望 116-118
參考文獻 118-132