內存DDR3與DDR2的不同之處

    時間:2024-08-14 20:44:26 硬件維護 我要投稿
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    內存DDR3與DDR2的不同之處

      DDR3內存相對于DDR2內存,其實只是規格上的提高,并沒有真正的全面換代的新架。下面是YJBYS小編整理的內存DDR3與DDR2的相關內容,希望對你有幫助!

      1.突發長度(Burst Length,BL)

      由于DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是,任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(如4bit順序突發)。

      2.尋址時序(Timing)

      就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0~4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲(CWD),這一參數將根據具體的工作頻率而定。

      3.DDR3新增的重置(Reset)功能

      重置是DDR3新增的一項重要功能,并為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時,DDR3內存將停止所有操作,并切換至最少量活動狀態,以節約電力。

      在Reset期間,DDR3內存將關閉內在的大部分功能,所有數據接收與發送器都將關閉,所有內部的程序裝置將復位,DLL(延遲鎖相環路)與時鐘電路將停止工作,而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來,將使DDR3達到最節省電力的目的。

      4.DDR3新增ZQ校準功能

      ZQ也是一個新增的腳,在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集,通過片上校準引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令后,將用相應的時鐘周期(在加電與初始化之后用512個時鐘周期,在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期)對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

      5.參考電壓分成兩個

      在DDR3系統中,對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號,即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ,這將有效地提高系統數據總線的信噪等級。

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